LMG3411R070RWHT

Texas Instruments
595-LMG3411R070RWHT
LMG3411R070RWHT

Fabricante:

Descripción:
Controladores de puertas 600-V 70-m? GaN with integrated driver a A 595-LMG3411R070RWHR

Modelo ECAD:
Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

En existencias: 236

Existencias:
236 Se puede enviar inmediatamente
Plazo de entrega de fábrica:
12 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.
Las cantidades superiores a 236 estarán sujetas a requisitos mínimos de pedido.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:
Empaque:
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 250)

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™
$20.25 $20.25
$16.16 $161.60
$15.14 $378.50
$14.02 $1,402.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 250)
$13.44 $3,360.00
$13.01 $6,505.00
1,000 Presupuesto
† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver.

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Texas Instruments
Categoría de producto: Controladores de puertas
RoHS:  
REACH - SVHC:
MOSFET Gate Drivers
Half-Bridge
SMD/SMT
QFN-32
1 Driver
1 Output
12 A
9.5 V
18 V
Non-Inverting
2.9 ns
26 ns
- 40 C
+ 125 C
LMG3411R070
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marca: Texas Instruments
Tiempo de retardo de apagado máximo: 10 ns
Tiempo de retardo de encendido máximo: 12 ns
Sensibles a la humedad: Yes
Corriente de suministro operativa: 43 mA
Voltaje de salida: 5 V
Tipo de producto: Gate Drivers
Retraso de propagación - Máx.: 36 ns
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: 70 mOhms
Cantidad de empaque de fábrica: 250
Subcategoría: PMIC - Power Management ICs
Tecnología: Si
Nombre comercial: GaN
Peso de la unidad: 188.200 mg
Productos encontrados:
Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación
Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.
Atributos seleccionados: 0

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

CNHTS:
8542399000
USHTS:
8542390090
MXHTS:
8542399999
ECCN:
EAR99

Etapa de potencia GaN de 70 mΩ de 600 V LMG3410R070

La etapa de potencia GaN de 70 mΩ de 600 V LMG3410R070 de Texas Instruments con controlador y protección integrados ofrece ventajas con respecto a los MOSFET de silicio. Estas incluyen una capacitancia de entrada y salida ultrabaja. Las características incluyen la recuperación inversa nula que reduce las pérdidas de conmutación en un 80 %, y bajo nivel de repique de nodo de conmutación para reducir EMI.