CSD17579Q3A

Texas Instruments
595-CSD17579Q3A
CSD17579Q3A

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CSD17579Q3A 30 V 8-V SONP A 595-CSD17579 A 595-CSD17579Q3AT

Modelo ECAD:
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Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:
Empaque:
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™
$0.73 $0.73
$0.449 $4.49
$0.303 $30.30
$0.236 $118.00
$0.211 $211.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
$0.21 $525.00
$0.187 $935.00
$0.17 $1,700.00
$0.165 $4,125.00
† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver.

Embalaje alternativo

N.º de artículo del Fabricante:
Embalaje:
Reel, Cut Tape, MouseReel
Disponibilidad:
En existencias
Precio:
$1.97
Mín.:
1

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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Texas Instruments
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
SMD/SMT
VSONP-8
N-Channel
1 Channel
30 V
39 A
10.2 mOhms
- 20 V, 20 V
1.1 V
15 nC
- 55 C
+ 150 C
29 W
Enhancement
NexFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marca: Texas Instruments
Configuración: Single
Kit de desarrollo: TPS25741EVM-802, TPS25741AEVM-802
Tiempo de caída: 1 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 37 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 5 ns
Serie: CSD17579Q3A
Cantidad de empaque de fábrica: 2500
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 11 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 2 ns
Peso de la unidad: 27.300 mg
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

NexFET™ Power MOSFETs

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFETs deliver half the gate charge for the same resistance so that designers can achieve 90% power-supply efficiencies with double the frequency. These NexFET power MOSFETs combine vertical current flow with a lateral power MOSFET. These devices provide a low on resistance and require an extremely low gate charge with industry-standard package outlines. Texas Instruments NexFET Power MOSFET technology improves energy efficiency in high-power computing, networking, server systems, and power supplies.