TSM600NA25CIT C0G

Taiwan Semiconductor
821-TSM600NA25CITC0G
TSM600NA25CIT C0G

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V, 22A, Single, N-Channel Low Voltage Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Ciclo de vida:
Nuevo en Mouser
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Mínimo: 1   Múltiples: 1
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Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$4.53 $4.53
$3.02 $30.20
$2.16 $216.00
$2.00 $1,000.00
$1.99 $3,980.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Taiwan Semiconductor
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
Through Hole
ITO-220TL-3
N-Channel
1 Channel
250 V
22 A
60 mOhms
- 30 V, 30 V
4.2 V
71 nC
- 55 C
+ 150 C
78 W
Enhancement
Tube
Marca: Taiwan Semiconductor
Configuración: Single
Tiempo de caída: 25 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 16 ns
Cantidad de empaque de fábrica: 2000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 78 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 16 ns
Alias de las piezas n.º: TSM600NA25CIT
Peso de la unidad: 1.584 g
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Atributos seleccionados: 0

TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

TSM600NA25CIT N-Channel Power MOSFET

Taiwan Semiconductor TSM600NA25CIT N-Channel Power MOSFET is a 250V low-voltage and single configuration MOSFET built with Trench technology. This MOSFET features a 22A continuous drain current, 60mΩ drain-source resistance, 78W power dissipation, and 71nC gate charge. The TSM600NA25CIT MOSFET offers 22pF reverse transfer capacitance and is Pb-free, halogen-free, and RoHS compliant. This power MOSFET is ideally used in Uninterruptible Power Supply (UPS), AC-DC power supply, and lighting applications.