STU7NM60N

STMicroelectronics
511-STU7NM60N
STU7NM60N

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.84 Ohm 5A 2nd Gen MDmesh

Modelo ECAD:
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En existencias: 1,719

Existencias:
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Plazo de entrega de fábrica:
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Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
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Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$2.93 $2.93
$1.25 $12.50
$1.15 $115.00
$1.04 $520.00
$1.00 $1,000.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
STMicroelectronics
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-251-3
N-Channel
1 Channel
600 V
5 A
900 mOhms
- 25 V, 25 V
2 V
14 nC
- 55 C
+ 150 C
45 W
Enhancement
MDmesh
Tube
Marca: STMicroelectronics
Configuración: Single
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: CN
Tiempo de caída: 12 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 10 ns
Serie: STU7NM60N
Cantidad de empaque de fábrica: 3000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 26 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 7 ns
Peso de la unidad: 340 mg
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Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541100000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99