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STPSC406B-TR

Name: STMicroelectronics STPSC406B-TR
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STPSC406B-TR
Price: 2.51 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

511-STPSC406B-TR

Fabricante N.º:

STPSC406B-TR

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

Diodos Schottky de SiC 600 V Power Schottky Diode

Complete su diseño

Ciclo de vida:

Fin de vida útil:

Se encuentra obsoleto y será discontinuado por el fabricante.

Hoja de datos:

STPSC406B-TR Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$7.00)

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$2.51	$2.51
	$1.62	$16.20
	$1.11	$111.00
	$0.886	$443.00
	$0.82	$820.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
	$0.82	$2,050.00

† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Diodos Schottky de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	DPAK
Configuración:	Single
If - Corriente directa:	4 A
Vrrm - Tensión inversa repetitiva:	600 V
Vf - Tensión directa:	1.9 V
Ifsm - Sobrecorriente en sentido directo:	14 A
Ir - Corriente inversa:	50 uA
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Serie:	STPSC
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	STMicroelectronics
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tipo de producto:	SiC Schottky Diodes
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Diodes & Rectifiers
Peso de la unidad:	1.700 g

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Hoja de datos

STPSC406B-TR Hoja de datos (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
JPHTS:: 8541100901
KRHTS:: 8541109000
TARIC:: 8542399000
MXHTS:: 85423999
ECCN:: EAR99

600V Power Schottky Silicon Carbide Diode

STMicroelectronics' 600V Power Schottky Silicon Carbide Diodes are ultra high performance power Schottky diodes. They are manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material of these allows the design of a Schottky diode structured with a 600V rating. Due to the Schottky construction of these diodes no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature. These Power Schottky Silicon Carbide Diodes will boost the performance of PFC operations in hard switching conditions.