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STF21NM60ND

Name: STMicroelectronics STF21NM60ND
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STF21NM60ND
Price: 5.93 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

511-STF21NM60ND

Fabricante N.º:

STF21NM60ND

Fabricante:

STMicroelectronics

Ciclo de vida:

Fin de vida útil:

Se encuentra obsoleto y será discontinuado por el fabricante.

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Fabricante:

STMicroelectronics

Fabricante N.º:

STF24N60DM2

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220FP packag

Comparar con la parte actual

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-220-3
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	600 V
Id - Corriente de drenaje continua:	17 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	220 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	5 V
Qg - Carga de puerta:	60 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	30 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Tube
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	48 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	16 ns
Serie:	STF21NM60ND
Cantidad de empaque de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	70 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	18 ns
Peso de la unidad:	2 g