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RRH075P03TB1

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Mouser N.º:

755-RRH075P03TB1

Fabricante N.º:

RRH075P03TB1

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Ciclo de vida:

NRND:

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Hoja de datos:

Modelo ECAD:

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Fabricante:

ROHM Semiconductor

Fabricante N.º:

RS3E075ATTB1

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOP8 P-CH 30V 7.5A

Comparar con la parte actual

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOP-8
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	30 V
Id - Corriente de drenaje continua:	7.5 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	25 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.5 V
Qg - Carga de puerta:	21 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	2 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Marca:	ROHM Semiconductor
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Transconductancia hacia delante - Mín.:	9 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Peso de la unidad:	83 mg