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RGS30TSX2DHRC11

Name: ROHM Semiconductor RGS30TSX2DHRC11
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RGS30TSX2DHRC11
Price: 7.89 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

755-RGS30TSX2DHRC11

Fabricante N.º:

RGS30TSX2DHRC11

Fabricante:

ROHM Semiconductor

Descripción:

IGBTs TO247 1200V 15A TRNCH

Hoja de datos:

RGS30TSX2DHRC11 Hoja de datos (PDF)

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	$7.89	$7.89
	$4.63	$46.30
	$4.17	$417.00
	$4.16	$11,232.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	IGBTs
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Paquete / Cubierta:	TO-247N-3
Estilo de montaje:	Through Hole
Configuración:	Single
Máx. voltaje VCEO colector-emisor:	1.2 kV
Voltaje de saturación colector-emisor:	2.1 V
Máximo voltaje puerta-emisor:	30 V
Colector de Corriente Continua a 25 C:	30 A
Dp - Disipación de potencia :	267 W
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Empaquetado:	Tube
Marca:	ROHM Semiconductor
Corriente de fuga puerta-emisor:	500 nA
Tipo de producto:	IGBT Transistors
Cantidad de empaque de fábrica:	450
Subcategoría:	IGBTs
Alias de las piezas n.º:	RGS30TSX2DHR

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Atributos seleccionados: 0

                        
ROHM Semiconductors AEC-Q101 qualified products are not 
intended for volume automotive production without ROHM 
Semiconductors prior approval. 

Please contact ROHM Semiconductor for Production Part Approval 
Process (PPAP) requirements or contact a Mouser Technical Sales 
Representative for further assistance. 

5-0617-50

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Hoja de datos

RGS30TSX2DHRC11 Hoja de datos (PDF)

PCN

Product Change Notification 2024-10-15 (PDF)

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USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

RGS30TSX2DHR & RGS30TSX2HR AEC-Q101 IGBTs

ROHM Semiconductor RGS30TSX2DHR and RGS30TSX2HR AEC-Q101 Field Stop Trench IGBTs are 10µs SCSOA (Short Circuit Safety Operating Area) guaranteed Insulated Gate Bipolar Transistors, suitable for general inverter use in automotive and industrial applications. The RGS30TSX2DHR and RGS30TSX2HR offer low conduction loss that contributes to reduced size and improved efficiency. These devices utilize original trench-gate and thin-wafer technologies. These technologies help achieve low collector-emitter saturation voltage (V_CE(sat)) with reduced switching losses. These IGBTs provide increased energy savings in a variety of high voltage and high current applications.

RGS Field Stop Trench Automotive IGBTs

ROHM Semiconductor RGS Field Stop Trench Automotive IGBTs are AEC-Q101-rated automotive IGBTs available in 1200V and 650V variants. These IGBTs deliver class-leading low conduction loss that reduces the size and improves the efficiency of applications. The RGS IGBTs utilize original trench-gate and thin-wafer technologies. These technologies help to achieve low collector-emitter saturation voltage (V_CE(sat)) with reduced switching losses. ROHM Semiconductor RGS IGBTs provide increased energy savings in various high voltage and high current applications.