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QPD2040D

Name: Qorvo QPD2040D
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPD2040D
Price: 10.14 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

772-QPD2040D

Fabricante N.º:

QPD2040D

Fabricante:

Qorvo

Descripción:

Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF) 0.40 mm Pwr pHEMT

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Qorvo
Categoría de producto:	Transistores de efecto de campo de unión (JFET) y radiofrecuencia (RF)
RoHS:
Tipo de transistor:	pHEMT
Tecnología:	GaAs
Ganancia:	13 dB
Paquete / Cubierta:	0.41 mm x 0.34 mm
Empaquetado:	Reel
Marca:	Qorvo
NF - Figura de ruido:	1.1 dB
Tipo de producto:	RF JFET Transistors
Serie:	QPD2040D
Cantidad de empaque de fábrica:	100
Subcategoría:	Transistors

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Atributos seleccionados: 0

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USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

QPD2040D 400um Discrete GaAs pHEMT Die

Qorvo QPD2040D 400um Discrete GaAs pHEMT Die is designed using Qorvo's proven standard 0.25um power pHEMT production process. The process features advanced techniques to optimize microwave power and efficiency at high drain bias operating conditions. The QPD2040D operates from DC to 20GHz with 26dBm typical output power at P1dB and a gain of 13dB and 55% power-added efficiency at 1dB compression. This performance level is ideal for high-efficiency applications. The protective overcoat layer with silicon nitride provides environmental robustness and scratch protection.