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PSMN016-100BS,118

Name: Nexperia PSMN016-100BS,118
Brand: Nexperia
SKU: 771-PSMN016-100BS118
Price: 2.77 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

771-PSMN016-100BS118

Fabricante N.º:

PSMN016-100BS,118

Fabricante:

Nexperia

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PSMN016-100BS/SOT404/D2PAK

Hoja de datos:

PSMN016-100BS,118 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Plazo de entrega de fábrica:: 5

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$-.--

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Est. Tarifa:

Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 800)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$7.00)

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$2.77	$2.77
	$1.78	$17.80
	$1.55	$77.50
	$1.21	$121.00
	$0.886	$443.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 800)
	$0.886	$708.80

† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Nexperia
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	D2PAK-3 (TO-263-3)
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	100 V
Id - Corriente de drenaje continua:	57 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	28.8 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2 V
Qg - Carga de puerta:	49 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	148 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Nexperia
Tipo de producto:	MOSFETs
Cantidad de empaque de fábrica:	800
Subcategoría:	Transistors
Alias de las piezas n.º:	934066209118
Peso de la unidad:	4 g

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Hoja de datos

PSMN016-100BS,118 Hoja de datos (PDF)

Application Notes

Power MOSFET Single-Shot and Repetitive Avalanche Ruggedness Rating - June 20, 2022 (PDF)

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

PSMN N-Channel MOSFETs

Nexperia PSMN N-Channel MOSFETs include standard and logic level, regular and enhancement mode, N-Channel MOSFETs in LFPAK, LFPAK88, I²PAK, TO-220, and DFN3333-8 packages qualified to 150°C or 175°C. These Nexperia PSMN N-Channel MOSFETs are designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications, and domestic equipment.

Nexperia PSMNxxx N-Channel MOSFETs - EXPANSION - INACTIVE

Nexperia PSMNxxx N-Channel MOSFETs have been expanded by adding additional drain current (I_D), drain-source on-state resistance (R_DS(on)), gate-drain charge (Q_GD), and total power dissipation (P_tot) ratings. All of these packages are qualified with a junction temperature up to 175ºC. They are designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications, and domestic equipment. They are highly efficient due to low switching and conduction losses and are suitable for standard level gate drive sources. Some of these are optimized for 4.5V gate drive utilizing NextPower Superjunction technology and have ultra-low Q_G, Q_GD and Q_OSS for high system efficiencies at low and high loads. Typical applications for these devices include dc-to-dc converters, load switching, motor control, synchronous buck regulators, and server power supplies.
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Nexperia PSMNxxx N-Channel MOSFETs include standard and logic level, regular and enhancement mode, N-Channel MOSFETs in LFPAK, I2PAK, TO-220, and DFN3333-8 packages qualified to 150°C or 175°C. These Nexperia PSMNxxx N-Channel MOSFETs are designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications, and domestic equipment. The Nexperia logic level enhancement mode N-Channel MOSFETs in LFPAK packages feature ultra low Q_G, Q_GD, and Q_OSS for high system efficiencies at low and high loads, and ultra low R_DSon and low parasitic inductance. They are also optimized for 4.5V gate drive utilising NextPower Superjunction technology. The Nexperia standard and logic level N-Channel MOSFETs in I2PAK and TO-220 packages feature high efficiency due to low switching and conduction losses and are suitable for standard or logic level gate drive sources.

View the entire PSMNxxx Series N-Channel MOSFETs