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MRF300AN

Name: NXP MRF300AN
Brand: NXP Semiconductors
SKU: 771-MRF300AN
Price: 99.62 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

771-MRF300AN

Fabricante N.º:

MRF300AN

Fabricante:

NXP Semiconductors

Descripción:

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V

Hoja de datos:

MRF300AN Hoja de datos (PDF)

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Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$99.62	$99.62
	$82.99	$829.90
	$78.14	$2,344.20
	$73.79	$8,854.80
510	Presupuesto

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	NXP
Categoría de producto:	Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
RoHS:
Polaridad del transistor:	N-Channel
Tecnología:	Si
Id - Corriente de drenaje continua:	30 A
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	133 V
Frecuencia de trabajo:	1.8 MHz to 250 MHz
Ganancia:	20.4 dB
Potencia de salida:	330 W
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-3
Empaquetado:	Tube
Marca:	NXP Semiconductors
Transconductancia hacia delante - Mín.:	28 S
Dp - Disipación de potencia :	272 W
Tipo de producto:	RF MOSFET Transistors
Serie:	MRF300AN
Cantidad de empaque de fábrica:	30
Subcategoría:	MOSFETs
Tipo:	RF Power MOSFET
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	+ 10 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2.7 V
Alias de las piezas n.º:	935369813174
Peso de la unidad:	7.358 g

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MRF300AN Hoja de datos (PDF)

Declaration of Compliance - RoHS Declaration (PDF)

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MRF300 RF Power LDMOS Transistors

NXP Semiconductors MRF300 RF Power LDMOS Transistors feature unmatched input and output, allowing wide frequency range operation from 1.8MHz to 250MHz. NXP MRF300 LDMOS transistors offer two opposite pin-connection versions (A and B) to be used in a push-pull and two-up configuration for wideband performance. These transistors are housed in an industry-standard TO-247 package, offering flexibility and ease of mounting. The rugged transistors are suitable for high VSWR industrial, scientific, and medical (ISM) applications and broadcast, mobile radio, HF/VHF communications, and switch-mode power supplies.