MRF101AN

NXP Semiconductors
771-MRF101AN
MRF101AN

Fabricante:

Descripción:
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V

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En existencias: 3,618

Existencias:
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Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
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Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$50.20 $50.20
$41.05 $410.50
$36.20 $905.00
$34.61 $3,461.00
$33.66 $8,415.00
500 Presupuesto

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
NXP
Categoría de producto: Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
RoHS:  
REACH - SVHC:
N-Channel
Si
8.8 A
133 V
1.8 MHz to 250 MHz
21.1 dB
115 W
- 40 C
+ 150 C
Through Hole
TO-220-3
Tube
Marca: NXP Semiconductors
Transconductancia hacia delante - Mín.: 7.1 S
Número de canales: 1 Channel
Dp - Disipación de potencia : 182 W
Tipo de producto: RF MOSFET Transistors
Serie: MRF101AN
Cantidad de empaque de fábrica: 50
Subcategoría: MOSFETs
Tipo: RF Power MOSFET
Vgs - Tensión entre puerta y fuente: + 10 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.7 V
Alias de las piezas n.º: 935377233129
Peso de la unidad: 60 mg
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Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

MRF101 RF Power LDMOS Transistors

NXP Semiconductors MRF101 RF Power LDMOS Transistors are highly-rugged N-channel enhancement mode lateral MOSFETs designed to exhibit high performance up to 250MHz. These transistors integrate ESD protection with a greater negative gate-source voltage range for improved Class C operation. Both the transistors come in two pin-out versions mirroring each other to support push-pull configurations for further flexibility. The MRF101 transistors are ideal for high Voltage Standing Wave Ratio (VSWR) industrial, scientific, and medical applications.