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TAV1-551+

Name: Mini-Circuits TAV1-551+
Brand: Mini-Circuits
SKU: 139-TAV1-551+
Price: 13.74 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

139-TAV1-551+

Fabricante N.º:

TAV1-551+

Fabricante:

Mini-Circuits

Descripción:

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MMIC AMPLIFIER

Hoja de datos:

TAV1-551+ Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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$-.--

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 500)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$7.00)

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$13.74	$13.74
	$13.73	$137.30
	$1.72	$34.40
	$1.67	$167.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 500)
	$1.64	$820.00
	$1.63	$1,630.00

† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Mini-Circuits
Categoría de producto:	Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
RoHS:
Polaridad del transistor:	N-Channel
Tecnología:	Si
Id - Corriente de drenaje continua:	15 mA
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	3 V
Frecuencia de trabajo:	45 MHz to 6 GHz
Ganancia:	20.9 dB
Potencia de salida:	20 dBm
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 85 C
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	MCLP-4
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Mini-Circuits
Transconductancia hacia delante - Mín.:	251 mS
Número de canales:	1 Channel
Dp - Disipación de potencia :	360 mW
Tipo de producto:	RF MOSFET Transistors
Serie:	TAV1
Cantidad de empaque de fábrica:	500
Subcategoría:	MOSFETs
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	+ 340 mV
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	260 mV

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Test/Quality Data

Performance Data (PDF)

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CNHTS:: 8542339000
CAHTS:: 8542330000
USHTS:: 8542330001
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8542330299
ECCN:: EAR99

TAV1-551+ Ultra-Low-Noise E-PHEMT Transistor

Mini-Circuits TAV1-551+ Ultra-Low-Noise E-PHEMT Transistor is a low noise, high gain device manufactured using E-PHEMPT technology enabling it to work with a single positive supply voltage. A small footprint saves space in dense layouts while providing low inductance, repeatable transitions, and excellent thermal contact to the PCB. It features an outstanding Noise figure, particularly below 2.5GHz, and when combining this noise figure with gain in a single device it makes it an ideal amplifier for multiple applications.