Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

¿Vé algún error?

MSCSM120AM042CT6LIAG

Name: Microchip MSCSM120AM042CT6LIAG
Brand: Microchip Technology
SKU: 494-M120AM042CT6LIAG
Price: 653.29 USD
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

494-M120AM042CT6LIAG

Fabricante N.º:

MSCSM120AM042CT6LIAG

Fabricante:

Microchip Technology

Descripción:

Módulos de semiconductores discretos PM-MOSFET-SIC-SBD-SP6C LI

Ver en el Selector herramientas de desarrollo

Hoja de datos:

MSCSM120AM042CT6LIAG Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre Microchip Technology MSCSM120AM042CT6LIAG

En existencias: 5

Existencias:: 5 Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: 18 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Las cantidades superiores a 5 estarán sujetas a requisitos mínimos de pedido.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

$-.--

Precio ext.:

$-.--

Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$653.29	$653.29
25	Presupuesto

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Microchip
Categoría de producto:	Módulos de semiconductores discretos
RoHS:
Producto:	MOSFET-SiC SBD Modules
Tipo:	MOSFET / SiC SBD
Tecnología:	SiC
Vf - Tensión directa:	1.5 V
Vr - Tensión inversa:	1.2 kV
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 10 V, + 25 V
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SP6
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 125 C
Marca:	Microchip Technology
Configuración:	Dual
Tiempo de caída:	67 ns
Id - Corriente de drenaje continua:	495 A
Dp - Disipación de potencia :	2.031 kW
Tipo de producto:	Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	5.2 mOhms
Tiempo de subida:	55 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	1
Subcategoría:	Discrete Semiconductor Modules
Polaridad del transistor:	N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	166 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	56 ns
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.8 V

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

MSCSM120AM042CT6LIAG Hoja de datos (PDF)

DTS

Ver en el Selector herramientas de desarrollo

PCN

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

CNHTS:: 8504409100
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

AgileSwitch® Phase Leg SiC MOSFET Power Modules

Microsemi / Microchip AgileSwitch® Phase Leg SiC (Silicon Carbide) MOSFET Power Modules are built with SiC MOSFETs and SiC Diodes and combine the advantages of both devices. These power modules feature an extremely low inductance SP6LI package with a maximum stray inductance of 3nH. These SP6LI power modules are offered in 1200V and 1700V variants with a case temperature (T_c) of +80°C. Offering higher power density and a compact form factor, the SP6LI package enables a lower quantity of modules in parallel to achieve complete systems, helping designers to downsize their equipment further.