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MSC010SDA070B

Name: Microchip MSC010SDA070B
Brand: Microchip Technology
SKU: 494-MSC010SDA070B
Price: 2.93 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

494-MSC010SDA070B

Fabricante N.º:

MSC010SDA070B

Fabricante:

Microchip Technology

Descripción:

Diodos Schottky de SiC UNRLS, FG, GEN2 SIC SBD

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Hoja de datos:

MSC010SDA070B Hoja de datos (PDF)

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Microchip
Categoría de producto:	Diodos Schottky de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-2
Configuración:	Single
If - Corriente directa:	10 A
Vrrm - Tensión inversa repetitiva:	700 V
Vf - Tensión directa:	1.5 V
Ifsm - Sobrecorriente en sentido directo:	90 A
Ir - Corriente inversa:	200 uA
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Serie:	MSC0
Empaquetado:	Tube
Marca:	Microchip Technology
Tipo de producto:	SiC Schottky Diodes
Cantidad de empaque de fábrica:	30
Subcategoría:	Diodes & Rectifiers
Vr - Tensión inversa:	700 V

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CNHTS:: 8541100000
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes

Microchip Technology Silicon Carbide (SiC) Schottky Barrier Diodes (SBD) offer dynamic and thermal performance over conventional Silicon (Si) power diodes. SiC devices offer a much greater dielectric breakdown field strength, higher bandgap, and higher thermal conductivity compared to Silicon-only devices. SiC SBDs feature zero forward and reverse recovery charges, reducing diode switching losses. These devices also offer temperature-independent switching, ensuring stable high-temperature performance.

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