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IPB160N04S4LH1ATMA1

Name: Infineon IPB160N04S4LH1ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IPB160N04S4LH1AT
Price: 3.27 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

726-IPB160N04S4LH1AT

Fabricante N.º:

IPB160N04S4LH1ATMA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL 30/40V

Hoja de datos:

IPB160N04S4LH1ATMA1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 1000)
	$1.08	$1,080.00
	$1.03	$2,060.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TO-263-7
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	40 V
Id - Corriente de drenaje continua:	160 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	1.5 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 16 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.7 V
Qg - Carga de puerta:	190 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	167 W
Modo canal:	Enhancement
Calificación:	AEC-Q101
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	65 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	20 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	1000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	70 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	16 ns
Alias de las piezas n.º:	IPB160N04S4L-H1 SP000979640
Peso de la unidad:	1.600 g

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SPICE Models

OptiMOS-T2_40V_PSpice (Cierre)

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs

Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs are class-leading power MOSFETs for the highest power density and energy-efficient solutions. Ultra-low gate and output charges, together with the lowest on-state resistance in small footprint packages, make ideal choices for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom, and telecom applications. Superfast switching Control FETs, together with low EMI Sync FETs, provide solutions that are easy to design. Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs provide excellent gate charge and are optimized for DC-DC conversion.

20V to 40V N-Channel Automotive MOSFETs

Infineon Technologies 20V to 40V N-Channel Automotive MOSFETs are AEC-Q101 qualified for automotive applications, and available in a wide range of package types, including D-PAK, TOLL (HSOF-8), TOLG (HSOG-8), and SSO8 (TDSON-8). These MOSFETs address broad range of applications, including EPS motor control, 3-phase and H-bridge motors, HVAC fan control, and electric pumps in combination with PWM control.