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IMT40R015M2HXTMA1

Name: Infineon IMT40R015M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMT40R015M2HXTMA
Price: 11.5 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

726-IMT40R015M2HXTMA

Fabricante N.º:

IMT40R015M2HXTMA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

MOSFETs de SiC SILICON CARBIDE MOSFET

Ciclo de vida:

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Hoja de datos:

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	$6.95	$6,950.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2000)
	$5.90	$11,800.00

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	HSOF-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	400 V
Id - Corriente de drenaje continua:	111 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	19.1 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 10 V, + 25 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.5 V
Qg - Carga de puerta:	62 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	341 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	9 ns
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Producto:	SiC MOSFETS
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	15.7 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	2000
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tipo:	G2 MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:	26.5 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	13.9 ns
Alias de las piezas n.º:	IMT40R015M2H SP005915784

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CoolSiC™ 400V G2 Silicon Carbide MOSFETs

Infineon Technologies CoolSiC™ 400V G2 Silicon Carbide MOSFETs are ideally suited for hard- and resonant-switching topologies. The Infineon 400V CoolSiC MOSFETs were specially developed for use in the AC/DC stage of AI server Power Supply Units (PSUs) and are also ideal for applications such as solar and energy storage systems. CoolSiC MOSFETs are built on a state-of-the-art trench semiconductor process optimized to allow for both the lowest losses in the application and the highest reliability in operation.