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RoHS

Fabricante:	Fabricante N.º:	Cant.	Total otorgado:

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BSM50GD120DN2

Mouser N.º:

641-BSM50GD120DN2

Fabricante N.º:

BSM50GD120DN2

Fabricante:

Infineon Technologies
Infineon Technologies

Ciclo de vida:

Cambio de número de pieza:

Solo revisión de número de pieza. El fabricante ha modificado este número de pieza. Éste es el número de pieza anterior.

Hoja de datos:

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Módulos IGBT
Restricciones de envío:	Mouser actualmente no vende este producto en su región.
RoHS:
Producto:	IGBT Silicon Modules
Configuración:	Hex
Máx. voltaje VCEO colector-emisor:	1.2 kV
Voltaje de saturación colector-emisor:	2.5 V
Colector de Corriente Continua a 25 C:	72 A
Corriente de fuga puerta-emisor:	200 nA
Dp - Disipación de potencia :	350 W
Paquete / Cubierta:	EconoPACK 2A
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Empaquetado:	Tray
Marca:	Infineon Technologies
Altura:	17 mm
Longitud:	107.5 mm
Máximo voltaje puerta-emisor:	20 V
Estilo de montaje:	Screw Mount
Tipo de producto:	IGBT Modules
Cantidad de empaque de fábrica:	10
Subcategoría:	IGBTs
Tecnología:	Si
Ancho:	45 mm
Alias de las piezas n.º:	SP000100359 BSM50GD120DN2BOSA1
Peso de la unidad:	250.125 g