BFP843FH6327XTSA1

Infineon Technologies
726-BFP843FH6327XTSA
BFP843FH6327XTSA1

Fabricante:

Descripción:
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) RF BIP TRANSISTORS

Modelo ECAD:
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En existencias: 2,900

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Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
$0.256 $768.00
$0.24 $1,440.00
$0.215 $1,935.00

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Infineon
Categoría de producto: Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF)
RoHS:  
Si
TSFP-4
Reel
Cut Tape
Marca: Infineon Technologies
Tipo de producto: RF Bipolar Transistors
Cantidad de empaque de fábrica: 3000
Subcategoría: Transistors
Alias de las piezas n.º: BFP 843F H6327 SP001062606
Peso de la unidad: 1.870 mg
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Atributos seleccionados: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541210075
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541219000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

RF Solutions for IoT applications

Infineon Technologies RF Solutions portfolio delivers high-performance RF technology products for reliable wireless connectivity in IoT applications. The number of IoT devices is growing at an astonishing rate. At the same time, customers expect a superior user experience in terms of product design and functionality.

RF Transistors

Infineon RF Transistors include Low Noise Amplifiers and High Linearity Transistors. Devices in the Low Noise category are based on silicon bipolar technology. Moderate transition frequency of fT <20 GHz provides ease of use and stability. Breakdown voltage can safely support supply voltage of 5V. These transistors are suitable for use with AM over VHF/UHF up to 14GHz. High Linearity Transistors provide OIP3 (Output 3rd Order Intercept Point) above 29dBm. They are based on Infineon's high volume silicon bipolar and SiGe:C technologies for best in class noise figures. These devices are ideal for drivers, pre-amplifiers, and buffer amplifiers.