Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Si no inicia sesión, algunas funciones en esta página no funcionarán.

¿Vé algún error?

IXSJ43N120R1

Name: IXYS IXSJ43N120R1
Brand: IXYS
SKU: 747-IXSJ43N120R1
Price: 18.65 USD
Availability: InStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

747-IXSJ43N120R1

Fabricante N.º:

IXSJ43N120R1

Fabricante:

IXYS

Descripción:

MOSFETs de SiC 1200V 36mohm (43A a. 25C) SiC MOSFET in isolated TO247-3L

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Lo nuevo de este fabricante.

Hoja de datos:

IXSJ43N120R1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Más información

Conozca más sobre IXYS IXSJ43N120R1

En existencias: 478

Existencias:: 478 Se puede enviar inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: 32 Semanas Tiempo estimado de producción de fábrica para cantidades superiores a las que se muestran.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

$-.--

Precio ext.:

$-.--

Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$18.65	$18.65
	$14.93	$149.30
	$12.91	$1,549.20
5,010	Presupuesto

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	IXYS
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	TO-247-3L
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	1.2 kV
Id - Corriente de drenaje continua:	45 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	47 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 4 V, + 21 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	4.8 V
Qg - Carga de puerta:	79 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 40 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	142 W
Modo canal:	Enhancement
Marca:	IXYS
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	10 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	16 S
Empaquetado:	Tube
Producto:	Power MOSFETs
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Tiempo de subida:	30 ns
Cantidad de empaque de fábrica:	30
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	SiC
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tipo:	Power MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:	32 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	15 ns

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla de verificación

Seleccione al menos una de las casillas de verificación anteriores para mostrar productos similares en esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

IXSJ43N120R1 Hoja de datos (PDF)

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET de potencia SiC de 1200 V IXSJxN120R1

Littelfuse IXSJxN120R1 1200V Silicon Carbide (SiC) Power MOSFETs are high-performance devices designed for demanding power conversion applications. The Littelfuse IXSJxN120R1 MOSFETs leverage the superior properties of SiC technology to deliver low switching losses, high efficiency, and excellent thermal performance. The IXSJ25N120R1 offers a typical R_DS(on) of 80mΩ and is optimized for lower current applications, while the IXSJ43N120R1 and IXSJ80N120R1 provide lower on-resistance values of 45mΩ and 20mΩ, respectively, supporting higher current handling capabilities. All three devices feature fast switching speeds, robust avalanche capability, and a Kelvin source pin for improved gate drive control. These characteristics make the IXSJxN120R1 series ideal for use in electric vehicle inverters, solar inverters, industrial motor drives, and high-efficiency power supplies.