IXFH10N100

IXYS
747-IXFH10N100
IXFH10N100

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1KV 10A

Ciclo de vida:
NRND:
No recomendado para nuevos diseños.
Modelo ECAD:
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Disponibilidad

Existencias:
No en existencias
Plazo de entrega de fábrica:
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$15.39 $15.39
$11.91 $119.10
$10.29 $1,234.80
25,020 Presupuesto

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
IXYS
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
1 kV
10 A
1.2 Ohms
- 20 V, 20 V
- 55 C
+ 150 C
300 W
Enhancement
HyperFET
Tube
Marca: IXYS
Configuración: Single
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: PH
Tiempo de caída: 32 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 10 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 33 ns
Serie: HiPerFET
Cantidad de empaque de fábrica: 30
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico: 62 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 21 ns
Peso de la unidad: 6 g
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Atributos seleccionados: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541500000
MXHTS:
85415001
ECCN:
EAR99