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DI110N03PQ

Name: Diotec Semiconductor DI110N03PQ
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 637-DI110N03PQ
Price: 1.87 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

637-DI110N03PQ

Fabricante N.º:

DI110N03PQ

Fabricante:

Diotec Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, PowerQFN 5x6, 30V, 110A, 150C, N

Hoja de datos:

DI110N03PQ Hoja de datos (PDF)

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MouseReel™ (+$7.00)

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$1.87	$1.87
	$1.46	$14.60
	$0.88	$88.00
	$0.871	$435.50
	$0.844	$844.00
	$0.746	$1,865.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 5000)
	$0.702	$3,510.00
	$0.605	$6,050.00
25,000	Presupuesto

† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Diotec Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	PowerQFN 5x6
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	30 V
Id - Corriente de drenaje continua:	110 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	2.2 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.7 V
Qg - Carga de puerta:	14 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	56 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	DI110N03PQ
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Diotec Semiconductor
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	54 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	30 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	8 ns
Serie:	DI110N
Cantidad de empaque de fábrica:	5000
Subcategoría:	Transistors
Tiempo de retardo de apagado típico:	92 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	23 ns
Peso de la unidad:	200 mg

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Hoja de datos

DI110N03PQ Hoja de datos (PDF)

Models

Full Material Declaration (PDF)

USHTS:: 8541210095
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Advanced Trench Technology Power MOSFETs

Diotec Semiconductors Advanced Trench Technology Power MOSFETs feature low on-state resistance and fast switching time. These MOSFETs components are available in standard commercial/industrial grading. The power MOSFETs are offered as N, P, or dual N+P channel types in single, dual, and H bridge configurations. These MOSFETs offer a 100mA to 280A current range and a 20V to 250V voltage range.

DIxxNxx-PQ N-Channel Power MOSFETs

Diotec Semiconductor DIxxNxx-PQ N-Channel Power MOSFETs are packaged in a compact 5mm x 6mm Power QFN package and operate in a -55°C to +150°C junction temperature range. At nominal 80A to 110A and 40V/60V/100V, these MOSFETs feature low on-state resistance, fast switching times, and low thermal resistance. The low gate threshold voltage allows for the logic level drive, while its very low gate charge and output charge reduce power losses and improve overall efficiency. Commercial, industrial, and automotive application uses include DC-DC converters, synchronous rectifiers, power tools, and more. The suffix -AQ stands for fully AEC-Q101 qualified parts.