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DI030N03D1

Name: Diotec Semiconductor DI030N03D1
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 637-DI030N03D1
Price: 0.77 USD
Availability: OutOfStock

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Mouser N.º:

637-DI030N03D1

Fabricante N.º:

DI030N03D1

Fabricante:

Diotec Semiconductor

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, DPAK, 30V, 30A, 175C, N

Hoja de datos:

DI030N03D1 Hoja de datos (PDF)

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Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)

Cinta cortada

MouseReel™ (+$7.00)

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	$0.77	$0.77
	$0.602	$6.02
	$0.361	$36.10
	$0.357	$178.50
	$0.346	$346.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
	$0.306	$765.00
	$0.288	$1,440.00
	$0.248	$2,480.00
	$0.243	$6,075.00

† $7.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Diotec Semiconductor
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	TO-252AA-4
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	30 V
Id - Corriente de drenaje continua:	30 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	10 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.5 V
Qg - Carga de puerta:	17.5 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	40 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	DI030N03D1
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Diotec Semiconductor
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	6 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	26 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	5 ns
Serie:	DI0XX
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	Power MOSFET
Tiempo de retardo de apagado típico:	25 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	17 ns
Peso de la unidad:	433 mg

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Hoja de datos

DI030N03D1 Hoja de datos (PDF)

Models

Full Material Declaration (PDF)

USHTS:: 8541210095
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Advanced Trench Technology Power MOSFETs

Diotec Semiconductors Advanced Trench Technology Power MOSFETs feature low on-state resistance and fast switching time. These MOSFETs components are available in standard commercial/industrial grading. The power MOSFETs are offered as N, P, or dual N+P channel types in single, dual, and H bridge configurations. These MOSFETs offer a 100mA to 280A current range and a 20V to 250V voltage range.