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ADL8122ACPZN

Name: Analog Devices Inc. ADL8122ACPZN
Brand: Analog Devices
SKU: 584-ADL8122ACPZN
Price: 127.95 USD
Availability: InStock

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Mouser N.º:

584-ADL8122ACPZN

Fabricante N.º:

ADL8122ACPZN

Fabricante:

Analog Devices

Descripción:

Amplificador de RF 0.01 to 10 GHz PA

Ciclo de vida:

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Hoja de datos:

ADL8122ACPZN Hoja de datos (PDF)

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	$127.95	$127.95
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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Analog Devices Inc.
Categoría de producto:	Amplificador de RF
RoHS:
Frecuencia de trabajo:	10 kHz to 10 GHz
Voltaje de alimentación operativo:	3 V to 6 V
Corriente de suministro operativa:	95 mA
Ganancia:	16 dB
NF - Figura de ruido:	1.7 dB
Tipo:	Low Noise Amplifiers
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	LFCSP-8
Tecnología:	Si
P1dB: punto de compresión:	20.5 dBm
OIP3: punto de intersección de tercer orden:	35 dBm
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 125 C
Serie:	ADL8122
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Analog Devices
Kit de desarrollo:	ADL8122-EVALZ
Pérdida de retorno de entrada:	14.5 dB
Número de canales:	1 Channel
Dp - Disipación de potencia :	1.23 W
Tipo de producto:	RF Amplifier
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Wireless & RF Integrated Circuits
Frecuencia de prueba:	10 kHz to 2 GHz

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CAHTS:: 8542330000
USHTS:: 8542330001
TARIC:: 8542330000
MXHTS:: 8542330299
ECCN:: EAR99

ADL8122 Wideband Low Noise Amplifier (LNA)

Analog Devices ADL8122 Wideband Low Noise Amplifier (LNA) operates from 10kHz to 10GHz. The typical gain and noise figures are 17dB and 2dB, respectively, from 2GHz to 6GHz. Output power for 1dB compression (OP1dB), output third-order intercept (OIP3), and output second-order intercept (OIP2) are 20dBm, 33.5dBm, and 37dBm, respectively, from 2GHz to 6GHz. The nominal quiescent current (I_DQ), which can be adjusted, is 95mA from a 5V supply voltage (V_DD). The internally matched, DC-coupled RF input and output pins require external AC coupling capacitors and a bias inductor on RF_OUT. In addition, the RF input is biased through an external inductor connected between the V_BIAS pin and the RF_IN pin.