AS4C32M16D2C-25BIN

Alliance Memory
913-S4C32M16D2C25BIN
AS4C32M16D2C-25BIN

Fabricante:

Descripción:
DRAM DDR2, 512Mb, 32M x 16, 1.8V, 84-ball BGA, 400 MHz, Industrial Temp - Tray

Hoja de datos:
Modelo ECAD:
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En existencias: 270

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Plazo de entrega de fábrica:
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Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
$-.--
Precio ext.:
$-.--
Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
$3.98 $3.98
$3.69 $36.90
$3.58 $89.50
$3.50 $175.00
$3.42 $342.00
$3.40 $710.60
$3.22 $1,345.96
$3.19 $3,333.55
$3.06 $7,674.48

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Alliance Memory
Categoría de producto: DRAM
RoHS:  
SDRAM - DDR2
512 Mbit
16 bit
400 MHz
FBGA-84
32 M x 16
400 ps
1.7 V
1.9 V
- 40 C
+ 95 C
Tray
Marca: Alliance Memory
Sensibles a la humedad: Yes
Estilo de montaje: SMD/SMT
Tipo de producto: DRAM
Cantidad de empaque de fábrica: 209
Subcategoría: Memory & Data Storage
Corriente de suministro - Máx.: 75 mA
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Atributos seleccionados: 0

Hoja de datos

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CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320032
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99

AS4C SDRAM

Alliance Memory AS4C SDRAM is high-speed CMOS synchronous DRAM containing 64Mbits, 128Mbits, or 256Mbits. They are internally configured as 4 banks of 1M, 2M, or 4M word x 16 DRAM with a synchronous interface (all signals are registered on the positive edge of the clock signal, CLK). Read and write accesses to the SDRAM are burst oriented, accesses start at a selected location and continue for a programmed number of locations in a programmed sequence. Accesses begin with the registration of a BankActivate command, which is then followed by a Read or Write command.

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