ALD1101BSAL

Name: Advanced Linear Devices ALD1101BSAL
Brand: Advanced Linear Devices
SKU: 585-ALD1101BSAL
Price: 5.13 USD
Availability: OutOfStock

Las imágenes son para referencia solamente
Ver especificaciones del producto

Mouser N.º:

585-ALD1101BSAL

Fabricante N.º:

ALD1101BSAL

Fabricante:

Advanced Linear Devices

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch FET 10.6 500mW 0.7V 10Ohm

Hoja de datos:

ALD1101BSAL Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue Library Loader gratis para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Conozca más sobre el modelo ECAD.

Disponibilidad

Existencias:: No en existencias

Se ha producido un error inesperado. Vuelva a intentarlo más tarde.
Plazo de entrega de fábrica:: Solicitar cotización de entrega

Introducir cantidad:

Mínimo: 50 Múltiples: 50

Precio unitario:

$-.--

Precio ext.:

$-.--

Est. Tarifa:

Precio (USD)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
	$5.13	$256.50
	$5.12	$512.00
	$4.81	$4,810.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Advanced Linear Devices
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOIC-8
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	10.6 V
Id - Corriente de drenaje continua:	40 mA
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	75 Ohms
Dp - Disipación de potencia :	500 mW
Empaquetado:	Tube
Marca:	Advanced Linear Devices
Configuración:	Dual
Tipo de producto:	MOSFETs
Serie:	ALD1101B
Cantidad de empaque de fábrica:	50
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	2 N-Channel
Peso de la unidad:	74 mg