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SCTW35N65G2VAG

STMicroelectronics

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Mouser N.º:

511-SCTW35N65G2VAG

Fabricante N.º:

SCTW35N65G2VAG

Fabricante:

STMicroelectronics

Descripción:

MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mOhm (typ., TJ = 2

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Ciclo de vida:

Fin de vida útil:

Se encuentra obsoleto y será discontinuado por el fabricante.

Hoja de datos:

SCTW35N65G2VAG Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	MOSFETs de SiC
RoHS:
Estilo de montaje:	Through Hole
Paquete / Cubierta:	HiP-247-3
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	650 V
Id - Corriente de drenaje continua:	45 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	67 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	5 V
Qg - Carga de puerta:	73 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 200 C
Dp - Disipación de potencia :	240 W
Modo canal:	Enhancement
Calificación:	AEC-Q101
Marca:	STMicroelectronics
Empaquetado:	Tube
Tipo de producto:	SiC MOSFETS
Cantidad de empaque de fábrica:	600
Subcategoría:	Transistors
Polaridad del transistor:	N-Channel
Peso de la unidad:	4.500 g

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EOL

Product Discontinuation Notification 2025-8-8 (PDF)

PCN

Códigos de cumplimiento

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país está sujeto a cambios en el momento del envío.

PRODUCTOS DESTACADOS

STMICROELECTRONICS

Automotive-Grade Silicon Carbide Power MOSFETs

Desarrollado con la innovadora tecnología MOSFET SiC de 2da/3ra generación de ST.

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Combine a very low saturation voltage with a minimal collector current turn-off tail.

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	$12.68	$12.68
	$10.75	$107.50
	$9.72	$972.00
	$9.43	$5,658.00
	$8.76	$10,512.00
3,000	Presupuesto